(最高1000萬落戶獎(jiǎng)勵(lì),深圳坪山將推第三代半導(dǎo)體新政)
原標(biāo)題:30億產(chǎn)業(yè)基金、最高1000萬落戶獎(jiǎng)勵(lì)?深圳坪山將推第三代半導(dǎo)體新政
摘要:繼今年3月第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)后,深圳再次加碼第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。8月3日,深圳坪山區(qū)經(jīng)濟(jì)和科技促進(jìn)局牽頭起草了《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施(征求意見稿)》,其中包括合作設(shè)立規(guī)模30億元的集成電路基金等內(nèi)容。
集微網(wǎng)消息(文/小北)繼今年3月第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)后,深圳再次加碼第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。8月3日,深圳坪山區(qū)經(jīng)濟(jì)和科技促進(jìn)局牽頭起草了《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施(征求意見稿)》(公示期為10個(gè)工作日,8月3日~8月17日)。
該第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施(征求意見稿)主要包括產(chǎn)業(yè)資金支持、有效保障產(chǎn)業(yè)空間、大力引進(jìn)和培育集成電路優(yōu)質(zhì)企業(yè)、建立集成電路多層次人才隊(duì)伍、支持產(chǎn)業(yè)研發(fā)和核心技術(shù)攻關(guān)、完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、其他扶持政策等內(nèi)容。
下面我們就來看看這份第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施(征求意見稿)中的重點(diǎn)內(nèi)容。
一.產(chǎn)業(yè)資金支持
1.資金支持:利用現(xiàn)有區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、科技創(chuàng)新等專項(xiàng)資金,每年統(tǒng)籌安排不少于5億元資金專項(xiàng)支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展;
2.產(chǎn)業(yè)基金:合作設(shè)立規(guī)模30億元的集成電路基金;
3.信貸融資:對(duì)集成電路企業(yè)通過第三方融資擔(dān)保機(jī)構(gòu)獲得的一年期以上的貸款融資,按企業(yè)支付給擔(dān)保機(jī)構(gòu)的融資擔(dān)保費(fèi)額(擔(dān)保費(fèi)率不得高于2%),給予50%的資助,每家企業(yè)年度資助金額最高200萬元,同一筆擔(dān)保項(xiàng)目連續(xù)支持不超過3年。
二.有效保障產(chǎn)業(yè)空間
1.用地保障:加快5平方公里集成電路(第三代半導(dǎo)體)產(chǎn)業(yè)園區(qū)規(guī)劃建設(shè),優(yōu)先保障集成電路企業(yè)用地;
2.用房支持:集成電路企業(yè)租賃創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)用房的資助額度為同片區(qū)、同檔次產(chǎn)業(yè)用房市場(chǎng)評(píng)估價(jià)格的50%-90%,連續(xù)資助三年,每家企業(yè)每年資助最高600萬元,且不超過企業(yè)上年度在坪山區(qū)納稅總額;
3.集成電路特色產(chǎn)業(yè)園:對(duì)于獲得市級(jí)特色工業(yè)園資助資金資助的集成電路企業(yè),按市級(jí)資助額度1:1給予配套資助。
三.大力引進(jìn)和培育集成電路優(yōu)質(zhì)企業(yè)
1.吸引優(yōu)質(zhì)企業(yè)落戶獎(jiǎng)勵(lì):對(duì)新設(shè)立或新遷入的集成電路企業(yè)設(shè)計(jì)、設(shè)備和材料類企業(yè),實(shí)繳資本超過2000萬元的,按照企業(yè)實(shí)繳資本的10%給予資助,每家企業(yè)資助最高500萬元;
對(duì)新設(shè)立或新遷入的集成電路企業(yè)制造、封測(cè)類企業(yè),第一年或第一個(gè)會(huì)計(jì)年度實(shí)際完成工業(yè)投資5000萬元以上(含)的,按照企業(yè)當(dāng)年實(shí)際完成工業(yè)投資額10%給予資助,每家企業(yè)資助最高1000萬元;
2.成功推薦引入優(yōu)質(zhì)集成電路企業(yè)落戶坪山的,設(shè)計(jì)、設(shè)備和材料類企業(yè)且實(shí)繳資本超過2000萬元的,按照企業(yè)實(shí)繳資本的1%,給予最高50萬元的獎(jiǎng)勵(lì);制造、封測(cè)類企業(yè)且其第一年或第一個(gè)完成會(huì)計(jì)年度工業(yè)投資額超過5000萬元的,按照企業(yè)當(dāng)年完成工業(yè)投資額1%,給予最高100萬元獎(jiǎng)勵(lì)。
四.建立集成電路多層次人才隊(duì)伍
1.引進(jìn)人才:對(duì)于集成電路企業(yè)引進(jìn)的人才,按行業(yè)高端、行業(yè)精英、中層骨干、專業(yè)技能等層次,分別給予總額為50萬、30萬、20萬、10萬元的資助,上述資助分3年發(fā)放;
2.留住人才:對(duì)企業(yè)年薪(稅前,下同)15萬元以上的研發(fā)人員、工程技術(shù)骨干人員及技術(shù)管理中層,按照其稅前年薪最高25%,每年給予員工獎(jiǎng)勵(lì)支持,每人每年資助額度不超過個(gè)人所得稅的繳納總額。每家企業(yè)享受獎(jiǎng)勵(lì)的人員不超過企業(yè)符合上述條件人員總數(shù)的80%,且年度資助最高500萬元;
3.培養(yǎng)人才:在校生參與企業(yè)集成電路工程實(shí)踐,在簽署合同并開展工程實(shí)踐不少于6個(gè)月后,可按每位學(xué)生2000元/月的標(biāo)準(zhǔn)給予企業(yè)實(shí)踐資助,單個(gè)企業(yè)每年資助不超過200萬元;
對(duì)于企業(yè)家在轄區(qū)學(xué)校擔(dān)任客座教授,或者轄區(qū)高校教師擔(dān)任本轄區(qū)企業(yè)導(dǎo)師且共同開展項(xiàng)目的,按每位導(dǎo)師每年6萬元標(biāo)準(zhǔn)給予資助。
五.支持產(chǎn)業(yè)研發(fā)和核心技術(shù)攻關(guān)
1.支持各類研發(fā)創(chuàng)新:支持企業(yè)與軍工單位開展研發(fā)合作,對(duì)于承擔(dān)軍工科研項(xiàng)目的企業(yè),在提供市資助證明后,按照市級(jí)資助額度1:1給予配套資助,最高不超過500萬元;
支持企業(yè)通過新設(shè)或并購(gòu)方式,在境外設(shè)立研發(fā)中心,吸收當(dāng)?shù)匮邪l(fā)人才和研發(fā)資源,按市級(jí)資助額度1:1給予配套資助,最高不超過500萬元;
2.支持核心技術(shù)和產(chǎn)品攻關(guān):轄區(qū)企業(yè)開展集成電路高端通用器件、關(guān)鍵設(shè)備、核心材料、先進(jìn)工藝等技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品攻關(guān),按研發(fā)投入的50%,每家企業(yè)給予年度最高500萬元的資助;
3.支持聯(lián)合項(xiàng)目開發(fā)和應(yīng)用:營(yíng)業(yè)收入達(dá)1000萬元以上的,給予企業(yè)按聯(lián)合投入金額20%,給予最高600萬的資助。
六.完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈
1.公共支撐服務(wù)平臺(tái):對(duì)企業(yè)建設(shè)的公共服務(wù)平臺(tái),按EDA、IP、測(cè)試驗(yàn)證設(shè)備等購(gòu)置費(fèi)用的50%,一次性給予最高1000萬元的資助。對(duì)獲得市級(jí)相關(guān)資助的,按實(shí)際額度1:1給予配套資助(以上兩項(xiàng)資助政策不重復(fù)享受);
2.支持流片:對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)參加多項(xiàng)目晶圓(MPW)項(xiàng)目,最高給予MPW直接費(fèi)用80%(高?;蚩蒲性核鵐PW直接費(fèi)用的90%)的資助,每個(gè)企業(yè)全年資助總額最高200萬元。利用本轄區(qū)企業(yè)開展多項(xiàng)目晶圓(MPW)的,按上述比例,每個(gè)企業(yè)年度資助最高400萬元;
對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)首次工程流片進(jìn)行資助,按首次工程流片費(fèi)用的30%給予獎(jiǎng)勵(lì),每個(gè)企業(yè)全年資助最高300萬元。利用本轄區(qū)企業(yè)集成電路生產(chǎn)線流片的,按首次流片費(fèi)用的60%給予獎(jiǎng)勵(lì),每家全年資助最高600萬元;
3.支持首購(gòu)首用:對(duì)坪山區(qū)內(nèi)整機(jī)企業(yè)首購(gòu)首用本轄區(qū)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)自主開發(fā)的芯片,按照采購(gòu)金額的50%,一次性給予最高500萬元的資助;
集成電路企業(yè)首購(gòu)首用本轄區(qū)集成電路自主研發(fā)生產(chǎn)的設(shè)備、材料,按照采購(gòu)金額的50%,一次性給予最高1000萬元的資助;
對(duì)企業(yè)獲得國(guó)家首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備保險(xiǎn)補(bǔ)償資助的,給予50%的配套資助;
4.持行業(yè)協(xié)助組織
七.其他扶持政策
1.支持微組裝:支持企業(yè)建立微組裝(投資額1000萬元以上)工藝生產(chǎn)線,在生產(chǎn)線建成并正式投產(chǎn)運(yùn)作后,按照投資額10%,給予最高500萬元的資助;
降低設(shè)備采購(gòu)成本:對(duì)企業(yè)新增采購(gòu)集成電路設(shè)備投入超過1000萬元的,按實(shí)際投入的20%,給予總額不超過500萬元的資助。該項(xiàng)資助與二十二條不重復(fù)使用;
其他其他扶持政策還包括生產(chǎn)性用電支持、潔凈室裝修支持、環(huán)保設(shè)施支持等。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,可以被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域,且具備眾多的優(yōu)良性能,可突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,故被市場(chǎng)看好的同時(shí),隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導(dǎo)體材料。目前,美國(guó)、日本、歐洲在第三代半導(dǎo)體SiC、GaN、AlN等技術(shù)上擁有絕對(duì)的話語權(quán)。相比美、日,我國(guó)在第三半導(dǎo)體材料上的起步較晚,水平較低,但由于第三代半導(dǎo)體還有很大的發(fā)展空間,各國(guó)都處于發(fā)力階段,因此被視作一次彎道超車的機(jī)會(huì)。
如今,江蘇、浙江、廈門、江西等地也逐步開始成為國(guó)內(nèi)具有較為完整產(chǎn)業(yè)鏈的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)。深圳正式推出“促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施”后,必將擴(kuò)大其第三代產(chǎn)業(yè)布局、加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。(校對(duì)/落日)
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