（最高1000萬落戶獎勵，深圳坪山將推第三代半導(dǎo)體新政）

　　原標題：30億產(chǎn)業(yè)基金、最高1000萬落戶獎勵？深圳坪山將推第三代半導(dǎo)體新政

　　摘要：繼今年3月第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動后，深圳再次加碼第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。8月3日，深圳坪山區(qū)經(jīng)濟和科技促進局牽頭起草了《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施（征求意見稿）》，其中包括合作設(shè)立規(guī)模30億元的集成電路基金等內(nèi)容。

　　集微網(wǎng)消息（文/小北）繼今年3月第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動后，深圳再次加碼第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。8月3日，深圳坪山區(qū)經(jīng)濟和科技促進局牽頭起草了《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施（征求意見稿）》（公示期為10個工作日，8月3日~8月17日）。

　　該第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施（征求意見稿）主要包括產(chǎn)業(yè)資金支持、有效保障產(chǎn)業(yè)空間、大力引進和培育集成電路優(yōu)質(zhì)企業(yè)、建立集成電路多層次人才隊伍、支持產(chǎn)業(yè)研發(fā)和核心技術(shù)攻關(guān)、完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、其他扶持政策等內(nèi)容。

　　下面我們就來看看這份第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施（征求意見稿）中的重點內(nèi)容。

　　一．產(chǎn)業(yè)資金支持

　　1.資金支持：利用現(xiàn)有區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、科技創(chuàng)新等專項資金，每年統(tǒng)籌安排不少于5億元資金專項支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展；

　　2.產(chǎn)業(yè)基金：合作設(shè)立規(guī)模30億元的集成電路基金；

　　3.信貸融資：對集成電路企業(yè)通過第三方融資擔(dān)保機構(gòu)獲得的一年期以上的貸款融資，按企業(yè)支付給擔(dān)保機構(gòu)的融資擔(dān)保費額（擔(dān)保費率不得高于2%），給予50%的資助，每家企業(yè)年度資助金額最高200萬元，同一筆擔(dān)保項目連續(xù)支持不超過3年。

　　二．有效保障產(chǎn)業(yè)空間

　　1.用地保障：加快5平方公里集成電路（第三代半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)園區(qū)規(guī)劃建設(shè)，優(yōu)先保障集成電路企業(yè)用地；

　　2.用房支持：集成電路企業(yè)租賃創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)用房的資助額度為同片區(qū)、同檔次產(chǎn)業(yè)用房市場評估價格的50%-90%，連續(xù)資助三年，每家企業(yè)每年資助最高600萬元，且不超過企業(yè)上年度在坪山區(qū)納稅總額；

　　3.集成電路特色產(chǎn)業(yè)園：對于獲得市級特色工業(yè)園資助資金資助的集成電路企業(yè)，按市級資助額度1:1給予配套資助。

　　三．大力引進和培育集成電路優(yōu)質(zhì)企業(yè)

　　1.吸引優(yōu)質(zhì)企業(yè)落戶獎勵：對新設(shè)立或新遷入的集成電路企業(yè)設(shè)計、設(shè)備和材料類企業(yè)，實繳資本超過2000萬元的，按照企業(yè)實繳資本的10%給予資助，每家企業(yè)資助最高500萬元；

　　對新設(shè)立或新遷入的集成電路企業(yè)制造、封測類企業(yè)，第一年或第一個會計年度實際完成工業(yè)投資5000萬元以上（含）的，按照企業(yè)當(dāng)年實際完成工業(yè)投資額10%給予資助，每家企業(yè)資助最高1000萬元；

　　2.成功推薦引入優(yōu)質(zhì)集成電路企業(yè)落戶坪山的，設(shè)計、設(shè)備和材料類企業(yè)且實繳資本超過2000萬元的，按照企業(yè)實繳資本的1%，給予最高50萬元的獎勵；制造、封測類企業(yè)且其第一年或第一個完成會計年度工業(yè)投資額超過5000萬元的，按照企業(yè)當(dāng)年完成工業(yè)投資額1%，給予最高100萬元獎勵。

　　四．建立集成電路多層次人才隊伍

　　1.引進人才：對于集成電路企業(yè)引進的人才，按行業(yè)高端、行業(yè)精英、中層骨干、專業(yè)技能等層次，分別給予總額為50萬、30萬、20萬、10萬元的資助，上述資助分3年發(fā)放；

　　2.留住人才：對企業(yè)年薪（稅前，下同）15萬元以上的研發(fā)人員、工程技術(shù)骨干人員及技術(shù)管理中層，按照其稅前年薪最高25%，每年給予員工獎勵支持，每人每年資助額度不超過個人所得稅的繳納總額。每家企業(yè)享受獎勵的人員不超過企業(yè)符合上述條件人員總數(shù)的80%，且年度資助最高500萬元;

　　3.培養(yǎng)人才：在校生參與企業(yè)集成電路工程實踐，在簽署合同并開展工程實踐不少于6個月后，可按每位學(xué)生2000元/月的標準給予企業(yè)實踐資助，單個企業(yè)每年資助不超過200萬元；

　　對于企業(yè)家在轄區(qū)學(xué)校擔(dān)任客座教授，或者轄區(qū)高校教師擔(dān)任本轄區(qū)企業(yè)導(dǎo)師且共同開展項目的，按每位導(dǎo)師每年6萬元標準給予資助。

　　五．支持產(chǎn)業(yè)研發(fā)和核心技術(shù)攻關(guān)

　　1.支持各類研發(fā)創(chuàng)新：支持企業(yè)與軍工單位開展研發(fā)合作，對于承擔(dān)軍工科研項目的企業(yè)，在提供市資助證明后，按照市級資助額度1：1給予配套資助，最高不超過500萬元；

　　支持企業(yè)通過新設(shè)或并購方式，在境外設(shè)立研發(fā)中心，吸收當(dāng)?shù)匮邪l(fā)人才和研發(fā)資源，按市級資助額度1：1給予配套資助，最高不超過500萬元；

　　2.支持核心技術(shù)和產(chǎn)品攻關(guān)：轄區(qū)企業(yè)開展集成電路高端通用器件、關(guān)鍵設(shè)備、核心材料、先進工藝等技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品攻關(guān)，按研發(fā)投入的50%，每家企業(yè)給予年度最高500萬元的資助；

　　3.支持聯(lián)合項目開發(fā)和應(yīng)用：營業(yè)收入達1000萬元以上的，給予企業(yè)按聯(lián)合投入金額20%，給予最高600萬的資助。

　　六．完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈

　　1.公共支撐服務(wù)平臺：對企業(yè)建設(shè)的公共服務(wù)平臺，按EDA、IP、測試驗證設(shè)備等購置費用的50%，一次性給予最高1000萬元的資助。對獲得市級相關(guān)資助的，按實際額度1:1給予配套資助（以上兩項資助政策不重復(fù)享受）；

　　2.支持流片：對集成電路設(shè)計企業(yè)參加多項目晶圓（MPW）項目，最高給予MPW直接費用80％（高?；蚩蒲性核鵐PW直接費用的90%）的資助，每個企業(yè)全年資助總額最高200萬元。利用本轄區(qū)企業(yè)開展多項目晶圓（MPW）的，按上述比例，每個企業(yè)年度資助最高400萬元；

　　對集成電路設(shè)計企業(yè)首次工程流片進行資助，按首次工程流片費用的30%給予獎勵，每個企業(yè)全年資助最高300萬元。利用本轄區(qū)企業(yè)集成電路生產(chǎn)線流片的，按首次流片費用的60%給予獎勵，每家全年資助最高600萬元；

　　3.支持首購首用：對坪山區(qū)內(nèi)整機企業(yè)首購首用本轄區(qū)集成電路設(shè)計企業(yè)自主開發(fā)的芯片，按照采購金額的50%，一次性給予最高500萬元的資助；

　　集成電路企業(yè)首購首用本轄區(qū)集成電路自主研發(fā)生產(chǎn)的設(shè)備、材料，按照采購金額的50%，一次性給予最高1000萬元的資助；

　　對企業(yè)獲得國家首臺（套）重大技術(shù)裝備保險補償資助的，給予50%的配套資助；

　　4.持行業(yè)協(xié)助組織

　　七．其他扶持政策

　　1.支持微組裝：支持企業(yè)建立微組裝（投資額1000萬元以上）工藝生產(chǎn)線，在生產(chǎn)線建成并正式投產(chǎn)運作后，按照投資額10%，給予最高500萬元的資助；

　　降低設(shè)備采購成本：對企業(yè)新增采購集成電路設(shè)備投入超過1000萬元的，按實際投入的20%，給予總額不超過500萬元的資助。該項資助與二十二條不重復(fù)使用；

　　其他其他扶持政策還包括生產(chǎn)性用電支持、潔凈室裝修支持、環(huán)保設(shè)施支持等。

　　第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，可以被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域，且具備眾多的優(yōu)良性能，可突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，故被市場看好的同時，隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導(dǎo)體材料。目前，美國、日本、歐洲在第三代半導(dǎo)體SiC、GaN、AlN等技術(shù)上擁有絕對的話語權(quán)。相比美、日，我國在第三半導(dǎo)體材料上的起步較晚，水平較低，但由于第三代半導(dǎo)體還有很大的發(fā)展空間，各國都處于發(fā)力階段，因此被視作一次彎道超車的機會。

　　如今，江蘇、浙江、廈門、江西等地也逐步開始成為國內(nèi)具有較為完整產(chǎn)業(yè)鏈的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)。深圳正式推出“促進集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施”后，必將擴大其第三代產(chǎn)業(yè)布局、加強產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。（校對/落日）

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